JY12M N And P Chennel 30V MOSFET mit schneller Schaltverzögerung für Inverter

JY12M N And P Chennel 30V MOSFET mit schneller Schaltverzögerung für Inverter-Anwendungen

Allgemeine Beschreibung

Das JY12M ist eine Art Energiefeldtransistor, der in N und im p-Kanallogikanreicherungstyp entworfen ist. Diese Transistoren werden unter Verwendung einer hohen Grabentechnologie der Zelldichte DMOS hergestellt, die ausgezeichneten Leistungsmerkmalen ermöglicht. Der Prozess mit hoher Dichte der Herstellungstechnik wird speziell optimiert, um den Durchlasswiderstand herabzusetzen und führt zu erhöhte Leistungsfähigkeit.

Diese Leistungstransistoren sind für Niederspannungsanwendungen, wie Energiemanagement in den Mobiltelefonen, in den Notebooks und in anderen batteriebetriebenen Stromkreisen besonders gut angepasst. Sie übertreffen in den Situationen, in denen hoch-seitige Schaltung und minimaler Leistungsabfall entscheidende Anforderungen sind. Zusätzlich ist das JY12M in einem sehr kleinen Entwurfsoberflächen-Bergpaket entworfen und lässt kompakte und Raum-leistungsfähige Integration in elektronische Systeme zu.

Zusammenfassend verwenden die JY12M-Energie-Feldtransistoren hohe Grabentechnologie der Zelldichte DMOS, mit dem Ergebnis des verringerten Durchlasswiderstandes. Sie sind für Niederspannungsanwendungen, besonders in den Szenario in hohem Grade passend, in denen leistungsfähige hoch-seitige Schaltung und minimaler Leistungsabfall wesentlich sind. Das kompakte weitere Oberflächenbergpaket erhöht ihre Vielseitigkeits- und Integrationsfähigkeiten.

Leistungsblatt: JY12M.pdf

Eigenschaften

●Niedrige eingegebene Kapazitanz

●Schnelle Schaltverzögerung

Anwendung

●Energie-Management

●DC-/DCkonverter

●DC-Motorsteuerung

●Lcd-Fernsehen u. Monitor-Anzeigen-Inverter

●CCFL-Inverter

PIN Configuration

Entwurf des Paket-SOP-9

Bilder