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Oberflächenberg N JY13M 40V und p-Kanal-Energie Mosfet-Fahrer Ic Chip

Bescheinigung
CHINA Changzhou Bextreme Shell Motor Technology Co.,Ltd zertifizierungen
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Kunden-Berichte
Danke erteilte sehr nette Komponenten und Berufsrat für unser Projekt und wünscht Ihnen gutes.

—— Adolph

Die Lokführer, die wir von Ihnen erhielten, funktionierten gut und Ihr kundengebundener Service war uns sehr behilflich.

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Ihre Produkte haben eine gute Qualität und sie arbeiten stabil.

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Oberflächenberg N JY13M 40V und p-Kanal-Energie Mosfet-Fahrer Ic Chip

Oberflächenberg N JY13M 40V und p-Kanal-Energie Mosfet-Fahrer Ic Chip
Oberflächenberg N JY13M 40V und p-Kanal-Energie Mosfet-Fahrer Ic Chip Oberflächenberg N JY13M 40V und p-Kanal-Energie Mosfet-Fahrer Ic Chip

Großes Bild :  Oberflächenberg N JY13M 40V und p-Kanal-Energie Mosfet-Fahrer Ic Chip

Produktdetails:
Herkunftsort: CHINA
Markenname: JUYI
Modellnummer: JY13M
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1 Satz
Preis: Negotiable
Verpackung Informationen: KARTON DES PET-BAG+
Lieferzeit: 5-10 Tage
Zahlungsbedingungen: T/T, L/C, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000sets/day

Oberflächenberg N JY13M 40V und p-Kanal-Energie Mosfet-Fahrer Ic Chip

Beschreibung
Abfluss-Quellspannung: 40 V Tor-Quellspannung: ±20V
Höchstleistungsableitung: 2W Pulsierter Abfluss-Strom: 30A
Schnelle Schaltverzögerung: ja Form: Quadrat
Markieren:

p-Kanal mosfet-Fahrer IC

,

IC-Fahrer mosfet

,

mosfet-Fahrerchip

JY13M N und p-Kanal 40V MOSFET für BLDC-Lokführer


ALLGEMEINE BESCHREIBUNG


Das JY13M ist die n- und p-Kanallogikanreicherungstypenergie-Feldtransistoren
Welches ausgezeichnetes RDS (AN) und niedrige Torgebühr zur Verfügung stellen kann. Das ergänzende
MOSFETs werden in der H-Brücke, in den Invertern und in anderen Anwendungen benutzt möglicherweise.


EIGENSCHAFTEN

Gerät VBR (DSS) RDS (AN) MAX TJ =25ºC Paket
N-Kanal 40V <30m>GS=10V, ID=12A TO252-4L
<40m>GS=4.5V, ID=8A
P-Kanal -40V <45m>GS=-10V, ID=-12A
<66m>GS=-4.5V, ID=-8A


●Niedrige eingegebene Kapazitanz
●Schnelle Schaltverzögerung

 

Absolute Maximalleistungen (Ta=25ºC wenn nicht anders vermerkt)

Parameter Symbol N-Kanal P-Kanal Einheit
Lassen Sie Quellspannung ab VDSS 40 -40 V
Gate-Source-Spannung VDSS ±20 ±20
Ununterbrochen
Lassen Sie gegenwärtiges ab
Ta=25ºC Identifikation 12 -12
Ta=100ºC 12 -12
Pulsierter Abfluss-Strom IDM 30 -30
Höchstleistung
Ableitung
Ta=25ºC PD 2 W
Ta=70ºC 1,3
Kreuzung und Lagerung
Temperaturspanne
TJ TSTG -55 bis 150 ºC
Thermischer Widerstand
Kreuzung zu umgebendem
RθJA 10s 25 ºC/W
Stabil 60
Thermischer Widerstand
Zu umkleiden Kreuzung
RθJC 5,5 5 ºC/W


Elektrische Eigenschaften (Ta=25ºC wenn nicht anders vermerkt)

Symbol Parameter Bedingungen Minute Art Maximal Einheit
Statisch
VGS (Th) Tor-Schwelle
Spannung
VDS =VGS, IDENTIFIKATION =250UA N-Ch 1,7 2,5 3,0 V
VDS =VGS, IDENTIFIKATION =-250UA P-Ch -1,7 -2 -3,0
IGSS Tor-Durchsickern
Gegenwärtig
VDS =0V, VGS =±20V N-Ch ±100 Na
P-Ch ±100
IDSS Nulltor-Spannung
Lassen Sie gegenwärtiges ab
VDS =40V, VGS =0V N-Ch 1 MA
VDS =-40V, VGS =0V P-Ch -1
IDENTIFIKATION (AN) Ein-Zustands-Abfluss
Gegenwärtig
VDS =5V, VGS =10V N-Ch 30
VDS =-5V, VGS =-10V P-Ch -30
RDS (AN) Abfluss-Quelle
Ein-Zustand
Widerstand
VGS =10V, IDENTIFIKATION =12A N-Ch 24 30
VGS =-10V, IDENTIFIKATION =-12A P-Ch 36 45
VGS =4.5V, IDENTIFIKATION =8A N-Ch 31 40
VGS =-4.5V, IDENTIFIKATION =-8A P-Ch 51 66
VSD Diode Vorwärts
Spannung
IST =1.0A, VGS =0V N-Ch 0,76 1,0 V
IST =-1.0A, VGS =0V P-Ch -0,76 -1,0

 

Oberflächenberg N JY13M 40V und p-Kanal-Energie Mosfet-Fahrer Ic Chip 0
 

BENUTZERHANDBUCH DES DOWNLOAD-JY13M

Oberflächenberg N JY13M 40V und p-Kanal-Energie Mosfet-Fahrer Ic Chip 1JY13M.pdf

Kontaktdaten
Changzhou Bextreme Shell Motor Technology Co.,Ltd

Ansprechpartner: Mr. Amigo Deng

Telefon: +86-18994777701

Faxen: 86-519-83606689

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