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Oberflächenberg N JY13M 40V und p-Kanal-Energie Mosfet-Fahrer Ic Chip

Oberflächenberg N JY13M 40V und p-Kanal-Energie Mosfet-Fahrer Ic Chip

Mindestbestellmenge: 1 Satz
Preis: Verhandlungsfähig
Standardverpackung: KARTON DES PET-BAG+
Lieferfrist: 5-10 Tage
Zahlungsmethode: T/T, L/C, Paypal
Lieferkapazität: 1000sets/day
Einzelheiten
Herkunftsort
CHINA
Markenname
JUYI
Modellnummer
JY13M
Abfluss-Quellspannung:
40 V
Tor-Quellspannung:
±20V
Höchstleistungsableitung:
2W
Pulsierter Abfluss-Strom:
30A
Schnelle Schaltverzögerung:
ja
Form:
Quadrat
Hervorheben:

p-Kanal mosfet-Fahrer IC

,

IC-Fahrer mosfet

,

mosfet-Fahrerchip

Beschreibung des Produkts

JY13M N und p-Kanal 40V MOSFET für BLDC-Lokführer


ALLGEMEINE BESCHREIBUNG


Das JY13M ist die n- und p-Kanallogikanreicherungstypenergie-Feldtransistoren
Welches ausgezeichnetes RDS (AN) und niedrige Torgebühr zur Verfügung stellen kann. Das ergänzende
MOSFETs werden in der H-Brücke, in den Invertern und in anderen Anwendungen benutzt möglicherweise.


EIGENSCHAFTEN

Gerät VBR (DSS) RDS (AN) MAX TJ =25ºC Paket
N-Kanal 40V <30m>GS=10V, ID=12A TO252-4L
<40m>GS=4.5V, ID=8A
P-Kanal -40V <45m>GS=-10V, ID=-12A
<66m>GS=-4.5V, ID=-8A


●Niedrige eingegebene Kapazitanz
●Schnelle Schaltverzögerung

 

Absolute Maximalleistungen (Ta=25ºC wenn nicht anders vermerkt)

Parameter Symbol N-Kanal P-Kanal Einheit
Lassen Sie Quellspannung ab VDSS 40 -40 V
Gate-Source-Spannung VDSS ±20 ±20
Ununterbrochen
Lassen Sie gegenwärtiges ab
Ta=25ºC Identifikation 12 -12
Ta=100ºC 12 -12
Pulsierter Abfluss-Strom IDM 30 -30
Höchstleistung
Ableitung
Ta=25ºC PD 2 W
Ta=70ºC 1,3
Kreuzung und Lagerung
Temperaturspanne
TJ TSTG -55 bis 150 ºC
Thermischer Widerstand
Kreuzung zu umgebendem
RθJA 10s 25 ºC/W
Stabil 60
Thermischer Widerstand
Zu umkleiden Kreuzung
RθJC 5,5 5 ºC/W


Elektrische Eigenschaften (Ta=25ºC wenn nicht anders vermerkt)

Symbol Parameter Bedingungen Minute Art Maximal Einheit
Statisch
VGS (Th) Tor-Schwelle
Spannung
VDS =VGS, IDENTIFIKATION =250UA N-Ch 1,7 2,5 3,0 V
VDS =VGS, IDENTIFIKATION =-250UA P-Ch -1,7 -2 -3,0
IGSS Tor-Durchsickern
Gegenwärtig
VDS =0V, VGS =±20V N-Ch ±100 Na
P-Ch ±100
IDSS Nulltor-Spannung
Lassen Sie gegenwärtiges ab
VDS =40V, VGS =0V N-Ch 1 MA
VDS =-40V, VGS =0V P-Ch -1
IDENTIFIKATION (AN) Ein-Zustands-Abfluss
Gegenwärtig
VDS =5V, VGS =10V N-Ch 30
VDS =-5V, VGS =-10V P-Ch -30
RDS (AN) Abfluss-Quelle
Ein-Zustand
Widerstand
VGS =10V, IDENTIFIKATION =12A N-Ch 24 30
VGS =-10V, IDENTIFIKATION =-12A P-Ch 36 45
VGS =4.5V, IDENTIFIKATION =8A N-Ch 31 40
VGS =-4.5V, IDENTIFIKATION =-8A P-Ch 51 66
VSD Diode Vorwärts
Spannung
IST =1.0A, VGS =0V N-Ch 0,76 1,0 V
IST =-1.0A, VGS =0V P-Ch -0,76 -1,0

 

Oberflächenberg N JY13M 40V und p-Kanal-Energie Mosfet-Fahrer Ic Chip 0
 

BENUTZERHANDBUCH DES DOWNLOAD-JY13M

Oberflächenberg N JY13M 40V und p-Kanal-Energie Mosfet-Fahrer Ic Chip 1JY13M.pdf

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EINZELHEITEN ZU DEN PRODUKTEN
Oberflächenberg N JY13M 40V und p-Kanal-Energie Mosfet-Fahrer Ic Chip
Mindestbestellmenge: 1 Satz
Preis: Verhandlungsfähig
Standardverpackung: KARTON DES PET-BAG+
Lieferfrist: 5-10 Tage
Zahlungsmethode: T/T, L/C, Paypal
Lieferkapazität: 1000sets/day
Einzelheiten
Herkunftsort
CHINA
Markenname
JUYI
Modellnummer
JY13M
Abfluss-Quellspannung:
40 V
Tor-Quellspannung:
±20V
Höchstleistungsableitung:
2W
Pulsierter Abfluss-Strom:
30A
Schnelle Schaltverzögerung:
ja
Form:
Quadrat
Min Bestellmenge:
1 Satz
Preis:
Verhandlungsfähig
Verpackung Informationen:
KARTON DES PET-BAG+
Lieferzeit:
5-10 Tage
Zahlungsbedingungen:
T/T, L/C, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
1000sets/day
Hervorheben

p-Kanal mosfet-Fahrer IC

,

IC-Fahrer mosfet

,

mosfet-Fahrerchip

Beschreibung des Produkts

JY13M N und p-Kanal 40V MOSFET für BLDC-Lokführer


ALLGEMEINE BESCHREIBUNG


Das JY13M ist die n- und p-Kanallogikanreicherungstypenergie-Feldtransistoren
Welches ausgezeichnetes RDS (AN) und niedrige Torgebühr zur Verfügung stellen kann. Das ergänzende
MOSFETs werden in der H-Brücke, in den Invertern und in anderen Anwendungen benutzt möglicherweise.


EIGENSCHAFTEN

Gerät VBR (DSS) RDS (AN) MAX TJ =25ºC Paket
N-Kanal 40V <30m>GS=10V, ID=12A TO252-4L
<40m>GS=4.5V, ID=8A
P-Kanal -40V <45m>GS=-10V, ID=-12A
<66m>GS=-4.5V, ID=-8A


●Niedrige eingegebene Kapazitanz
●Schnelle Schaltverzögerung

 

Absolute Maximalleistungen (Ta=25ºC wenn nicht anders vermerkt)

Parameter Symbol N-Kanal P-Kanal Einheit
Lassen Sie Quellspannung ab VDSS 40 -40 V
Gate-Source-Spannung VDSS ±20 ±20
Ununterbrochen
Lassen Sie gegenwärtiges ab
Ta=25ºC Identifikation 12 -12
Ta=100ºC 12 -12
Pulsierter Abfluss-Strom IDM 30 -30
Höchstleistung
Ableitung
Ta=25ºC PD 2 W
Ta=70ºC 1,3
Kreuzung und Lagerung
Temperaturspanne
TJ TSTG -55 bis 150 ºC
Thermischer Widerstand
Kreuzung zu umgebendem
RθJA 10s 25 ºC/W
Stabil 60
Thermischer Widerstand
Zu umkleiden Kreuzung
RθJC 5,5 5 ºC/W


Elektrische Eigenschaften (Ta=25ºC wenn nicht anders vermerkt)

Symbol Parameter Bedingungen Minute Art Maximal Einheit
Statisch
VGS (Th) Tor-Schwelle
Spannung
VDS =VGS, IDENTIFIKATION =250UA N-Ch 1,7 2,5 3,0 V
VDS =VGS, IDENTIFIKATION =-250UA P-Ch -1,7 -2 -3,0
IGSS Tor-Durchsickern
Gegenwärtig
VDS =0V, VGS =±20V N-Ch ±100 Na
P-Ch ±100
IDSS Nulltor-Spannung
Lassen Sie gegenwärtiges ab
VDS =40V, VGS =0V N-Ch 1 MA
VDS =-40V, VGS =0V P-Ch -1
IDENTIFIKATION (AN) Ein-Zustands-Abfluss
Gegenwärtig
VDS =5V, VGS =10V N-Ch 30
VDS =-5V, VGS =-10V P-Ch -30
RDS (AN) Abfluss-Quelle
Ein-Zustand
Widerstand
VGS =10V, IDENTIFIKATION =12A N-Ch 24 30
VGS =-10V, IDENTIFIKATION =-12A P-Ch 36 45
VGS =4.5V, IDENTIFIKATION =8A N-Ch 31 40
VGS =-4.5V, IDENTIFIKATION =-8A P-Ch 51 66
VSD Diode Vorwärts
Spannung
IST =1.0A, VGS =0V N-Ch 0,76 1,0 V
IST =-1.0A, VGS =0V P-Ch -0,76 -1,0

 

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