Mindestbestellmenge: | 1 Satz |
Preis: | negotiable |
Standardverpackung: | KARTON DES PET-BAG+ |
Lieferfrist: | 5-10 Tage |
Zahlungsmethode: | T/T, L/C, Paypal |
Lieferkapazität: | 1000sets/day |
JY12M N und p-Kanal 30V MOSFET für BLDC-Lokführer
ALLGEMEINE BESCHREIBUNG
Das JY12M ist die n- und p-Kanallogikanreicherungstypenergie-Feldtransistoren
werden unter Verwendung der hohen Grabentechnologie der Zelldichte DMOS produziert. Dieses mit hoher Dichte
Prozess wird besonders hergestellt, um Durchlasswiderstand herabzusetzen. Diese Geräte sind
besonders entsprochen für Niederspannungsanwendung wie Mobiltelefon und Notizbuch
Computerenergiemanagement und andere batteriebetriebene Stromkreise wo hoch-seitig
Schaltung und niedriger Inline-Leistungsabfall sind in einer sehr kleinen Entwurfsoberfläche erforderlich
Bergpaket.
EIGENSCHAFTEN
Gerät | RDS (AN) MAX | IDMAX (25ºC) |
N-Kanal | 20mΩ@VGS=10V | 8.5A |
32mΩ@VGS=4.5V | 7.0A | |
P-Kanal | 45mΩ@VGS=-10V | -5.5A |
85mΩ@VGS=-4.5V | -4.1A |
●Niedrige eingegebene Kapazitanz
●Schnelle Schaltverzögerung
ANWENDUNGEN
●Energie-Management
●DC-/DCkonverter
●DC-Motorsteuerung
●Lcd-Fernsehen u. Monitor-Anzeigen-Inverter
●CCFL-Inverter
Absolute Maximalleistungen (Ta=25ºC wenn nicht anders vermerkt)
Parameter | Symbol | N-Kanal | P-Kanal | Einheit | |||
sek 10 | Stabil | sek 10 | Stabil | ||||
Lassen Sie Quellspannung ab | VDSS | 30 | -30 | V | |||
Gate-Source-Spannung | VDSS | ±20 | ±20 | ||||
Ununterbrochen Lassen Sie gegenwärtiges ab |
ºC Ta=25 | Identifikation | 8,5 | 6,5 | -7,0 | -5,3 | |
ºC Ta=70 | 6,8 | 5,1 | -5,5 | -4,1 | |||
Pulsierter Abfluss-Strom | IDM | 30 | -30 | ||||
Höchstleistung Ableitung |
ºC Ta=25 | PD | 1,5 | W | |||
ºC Ta=70 | 0,95 | ||||||
Funktionierende Kreuzung Temperatur |
TJ | -55 bis 150 | ºC | ||||
Thermischer Widerstand Kreuzung zu umgebendem |
RθJA | 61 | 100 | 62 | 103 | ºC/W | |
Thermischer Widerstand Zu umkleiden Kreuzung |
RθJC | 15 | 15 | ºC/W |
Elektrische Eigenschaften (Ta=25ºC wenn nicht anders vermerkt)
Symbol | Parameter | Bedingungen | Minute | Art | Maximal | Einheit | |
Statisch | |||||||
VGS (Th) | Tor-Schwelle Spannung |
VDS =VGS, IDENTIFIKATION =250UA | N-Ch | 1,0 | 1,5 | 3,0 | V |
VDS =VGS, IDENTIFIKATION =-250UA | P-Ch | -1,0 | -1,5 | -3,0 | |||
IGSS | Tor-Durchsickern Gegenwärtig |
VDS =0V, VGS =±20V | N-Ch | ±100 | Na | ||
P-Ch | ±100 | ||||||
IDSS | Nulltor-Spannung Lassen Sie gegenwärtiges ab |
VDS =30V, VGS =0V | N-Ch | 1 | MA | ||
VDS =-30V, VGS =0V | P-Ch | -1 | |||||
IDENTIFIKATION (AN) | Ein-Zustands-Abfluss Gegenwärtig |
VDS ≥5V, VGS =10V | N-Ch | 20 | |||
VDS ≤-5V, VGS =-10V | P-Ch | -20 | |||||
RDS (AN) | Abfluss-Quelle Ein-Zustand Widerstand |
VGS =10V, IDENTIFIKATION =7.4A | N-Ch | 15 | 20 | mΩ | |
VGS =-10V, IDENTIFIKATION =-5.2A | P-Ch | 38 | 45 | ||||
VGS =4.5V, IDENTIFIKATION =6.0A | N-Ch | 23 | 32 | ||||
VGS =-4.5V, IDENTIFIKATION =-4.0A | P-Ch | 65 | 85 | ||||
VSD | Diode Vorwärts Spannung |
IST =1.7A, VGS =0V | N-Ch | 0,8 | 1,2 | V | |
IST =-1.7A, VGS =0V | P-Ch | -0,8 | -1,2 |
BENUTZERHANDBUCH DES DOWNLOAD-JY12M
Mindestbestellmenge: | 1 Satz |
Preis: | negotiable |
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Lieferkapazität: | 1000sets/day |
JY12M N und p-Kanal 30V MOSFET für BLDC-Lokführer
ALLGEMEINE BESCHREIBUNG
Das JY12M ist die n- und p-Kanallogikanreicherungstypenergie-Feldtransistoren
werden unter Verwendung der hohen Grabentechnologie der Zelldichte DMOS produziert. Dieses mit hoher Dichte
Prozess wird besonders hergestellt, um Durchlasswiderstand herabzusetzen. Diese Geräte sind
besonders entsprochen für Niederspannungsanwendung wie Mobiltelefon und Notizbuch
Computerenergiemanagement und andere batteriebetriebene Stromkreise wo hoch-seitig
Schaltung und niedriger Inline-Leistungsabfall sind in einer sehr kleinen Entwurfsoberfläche erforderlich
Bergpaket.
EIGENSCHAFTEN
Gerät | RDS (AN) MAX | IDMAX (25ºC) |
N-Kanal | 20mΩ@VGS=10V | 8.5A |
32mΩ@VGS=4.5V | 7.0A | |
P-Kanal | 45mΩ@VGS=-10V | -5.5A |
85mΩ@VGS=-4.5V | -4.1A |
●Niedrige eingegebene Kapazitanz
●Schnelle Schaltverzögerung
ANWENDUNGEN
●Energie-Management
●DC-/DCkonverter
●DC-Motorsteuerung
●Lcd-Fernsehen u. Monitor-Anzeigen-Inverter
●CCFL-Inverter
Absolute Maximalleistungen (Ta=25ºC wenn nicht anders vermerkt)
Parameter | Symbol | N-Kanal | P-Kanal | Einheit | |||
sek 10 | Stabil | sek 10 | Stabil | ||||
Lassen Sie Quellspannung ab | VDSS | 30 | -30 | V | |||
Gate-Source-Spannung | VDSS | ±20 | ±20 | ||||
Ununterbrochen Lassen Sie gegenwärtiges ab |
ºC Ta=25 | Identifikation | 8,5 | 6,5 | -7,0 | -5,3 | |
ºC Ta=70 | 6,8 | 5,1 | -5,5 | -4,1 | |||
Pulsierter Abfluss-Strom | IDM | 30 | -30 | ||||
Höchstleistung Ableitung |
ºC Ta=25 | PD | 1,5 | W | |||
ºC Ta=70 | 0,95 | ||||||
Funktionierende Kreuzung Temperatur |
TJ | -55 bis 150 | ºC | ||||
Thermischer Widerstand Kreuzung zu umgebendem |
RθJA | 61 | 100 | 62 | 103 | ºC/W | |
Thermischer Widerstand Zu umkleiden Kreuzung |
RθJC | 15 | 15 | ºC/W |
Elektrische Eigenschaften (Ta=25ºC wenn nicht anders vermerkt)
Symbol | Parameter | Bedingungen | Minute | Art | Maximal | Einheit | |
Statisch | |||||||
VGS (Th) | Tor-Schwelle Spannung |
VDS =VGS, IDENTIFIKATION =250UA | N-Ch | 1,0 | 1,5 | 3,0 | V |
VDS =VGS, IDENTIFIKATION =-250UA | P-Ch | -1,0 | -1,5 | -3,0 | |||
IGSS | Tor-Durchsickern Gegenwärtig |
VDS =0V, VGS =±20V | N-Ch | ±100 | Na | ||
P-Ch | ±100 | ||||||
IDSS | Nulltor-Spannung Lassen Sie gegenwärtiges ab |
VDS =30V, VGS =0V | N-Ch | 1 | MA | ||
VDS =-30V, VGS =0V | P-Ch | -1 | |||||
IDENTIFIKATION (AN) | Ein-Zustands-Abfluss Gegenwärtig |
VDS ≥5V, VGS =10V | N-Ch | 20 | |||
VDS ≤-5V, VGS =-10V | P-Ch | -20 | |||||
RDS (AN) | Abfluss-Quelle Ein-Zustand Widerstand |
VGS =10V, IDENTIFIKATION =7.4A | N-Ch | 15 | 20 | mΩ | |
VGS =-10V, IDENTIFIKATION =-5.2A | P-Ch | 38 | 45 | ||||
VGS =4.5V, IDENTIFIKATION =6.0A | N-Ch | 23 | 32 | ||||
VGS =-4.5V, IDENTIFIKATION =-4.0A | P-Ch | 65 | 85 | ||||
VSD | Diode Vorwärts Spannung |
IST =1.7A, VGS =0V | N-Ch | 0,8 | 1,2 | V | |
IST =-1.7A, VGS =0V | P-Ch | -0,8 | -1,2 |
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